Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Myroniuk L$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
1. |
Myroniuk D. V. Influence of Substrate Temperature and Magnesium Content on Morphology Evolution and Luminescence of Mg-doped ZnO Films [Електронний ресурс] / D. V. Myroniuk, L. A. Myroniuk, V. A. Karpyna, L. I. Petrosian, A. I. Ievtushenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 5. - С. 05008-1-05008-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_5_10 Наведено результати досліджень за методами сканувальної електронної мікроскопії і фотолюмінесценції (ФЛ) особливостей мікроструктури та випромінювальних переходів плівок ZnO:Mg, одержаних за допомогою методу хімічного осадження з парової фази металорганічних сполук за атмосферного тиску на підкладки кремнію. Різноманітні мікроструктури ZnO від полікристалічних плівок з гладкою морфологією до стовпців та гексагональних стрижнів ефективно утворюються в широкому діапазоні температур <$E190~-~450~symbol Р roman C> з використанням двох композицій суміші ацетилацетонатів цинку і магнію (ZnАА та MgAA) (5 та 10 ваг. %) як прекурсорів. Температура підкладки має суттєвий вплив на кристалічність і морфологію плівок ZnO. Структури ZnO у формі колон утворюються за температур вище <$E350~symbol Р roman C>. Вміст MgAA у суміші прекурсорів також впливає на морфологію частинок. За вмісту MgAA 10 ваг % за низьких температур підкладки (<$E200~-~320~symbol Р roman C>) утворюються зерна більших розмірів у порівнянні з ростом зерен у плівках за Mg AA 5 ваг %, тоді як за вищих температур підкладок (<$E350~-~450~symbol Р roman C>) утворюються стрижнеподібні структури. Швидкість росту структур ZnO зростає зі збільшенням температури підкладки. У спектрах емісії ФЛ зразків з 10 ваг % MgAA (у порівнянні з 5 ваг. %) спостерігається ріст інтенсивності крайової смуги та пригнічується випромінювання дефектних рівнів люмінесценції структур ZnO. Тому можна зробити висновок, що магній діє як ізоелектронна домішка і призводить до покращання крайової емісії люмінесценції за рахунок гетерування дефектів. Магній також спричиняє збільшення розміру зерен, покращуючи досконалість кристалітів полікристалічних плівок ZnO:Mg, вирощених за низької температури підкладки, а також сприяє росту гексагональних стрижнів за більш високих температур підкладки. Структури оксиду цинку, леговані магнієм, можуть виступати як ефективні фотокаталізатори.
| 2. |
Koziarskyi I. P. Mechanisms of Current Generation in Graphene/p-CdTe Schottky Diodes [Електронний ресурс] / I. P. Koziarskyi, M. I. Ilashchuk, I. G. Orletskyi, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, E. V. Maistruk, D. P. Koziarskyi, V. V. Strelchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 6. - С. 06001-1-06001-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_6_3 Діоди Шотткі графен/p-CdTe було одержано на підкладках p-CdTe розпиленням водних розчинів полівінілпіролідону (PVP, (C6H9NO)n), які містять частинки багатошарового графену, механічно відлущені з графіту. Діодні властивості одержаних поверхневих бар'єрних структур графен/p-CdTe визначалися енергетичним бар'єром <$Eq phi sub k ~=~0,8> еВ, який формується у приконтактній області p-CdTe. Проаналізовано температурну залежність ВАХ та встановлено динаміку зміни висоти бар'єру з температурою та основні механізми генерації струму в досліджуваних діодах під дією прямої та зворотної напруг. В області прямого зміщення при V << 0,2 В і зворотного зміщення при - (минус) 0,5 В << V через діод перебігають рекомбінаційно-генераційні струми. Зворотний струм зумовлений процесами генерації, а прямий - рекомбінації у збідненій на основні носії заряду області p-CdTe. За вищих, як прямих, так і зворотних напруг, формування струму відбувається за рахунок тунелювання носіїв заряду через потенціальний бар'єр електричного переходу.
| 3. |
Naumenko K. S. The Effect of Ag-Doping on the Cytotoxicity of ZnO Nanostructures Grown on Ag/Si Substrates by APMOCVD [Електронний ресурс] / K. S. Naumenko, A. I. Ievtushenko, V. A. Karpyna, O. I. Bykov, L. A. Myroniuk // Microbiological journal. - 2022. - Т. 84, № 2. - С. 47-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MicroBiol_2022_84_2_8
| 4. |
Karpyna V. A. Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers [Електронний ресурс] / V. A. Karpyna, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, M. E. Bugaiova, L. I. Petrosian, O. I. Bykov, O. I. Olifan, V. V. Strelchuk, O. F. Kolomys, V. R., Naumenko K. S., Artiukh L. O., Povnitsa O. Y., Zahorodnia S. D., Ievtushenko A. I. Romanyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2023. - Т. 14, № 1. - С. 83-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2023_14_1_10
| 5. |
Myroniuk L. A. Mechanical exfoliation of graphite to graphene in polyvinylpyrrolidone aqueous solution [Електронний ресурс] / L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, E. V. Maistruk, S. I. Kuryshchuk, A. I. Ievtushenko, I. M. Danylenko, V. V. Strelchuk, I. P. Koziarskyi // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2023. - Т. 14, № 2. - С. 230-236. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2023_14_2_10
|
|
|